PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 80V 10.7A Ta, 22A Tc 2.3W Ta, 40W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.7A 8-Pin MLP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.7A 8-Pin MLP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.7A 8-Pin MLP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin MLP T/R
DeviceMart:
MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 10.7A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2640pF @40VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free