FQPF8N90C参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF8N90C概述

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

N-Channel 900V 6.3A Tc 60W Tc Through Hole TO-220F

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube

Win Source:
900V N-Channel MOSFET

FQPF8N90C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 6.30 A

漏源极电阻 1.90 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.30 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 2080pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF8N90C

型号： FQPF8N90C

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

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替代型号FQPF8N90C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQPF8N90C Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQPF6N90 飞兆/仙童	类似代替	FQPF8N90C和FQPF6N90的区别
IRFZ44EPBF 英飞凌	功能相似	FQPF8N90C和IRFZ44EPBF的区别
STP6NK90ZFP 意法半导体	功能相似	FQPF8N90C和STP6NK90ZFP的区别