FDMS3660S

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FDMS3660S概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3660S  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.5 V

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


欧时:
### PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin Power 56 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin Power 56 T/R


富昌:
双 N-沟道 30 V 8 /1.8 mΩ 21 / 62 nC PowerTrench 非对称 Mosfet - Power56


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin Power 56 EP T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN


FDMS3660S中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 13A/30A

输入电容Ciss 1765pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5.9 mm

高度 1.1 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

FDMS3660S引脚图与封装图
FDMS3660S引脚图
FDMS3660S封装焊盘图
在线购买FDMS3660S
型号: FDMS3660S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3660S  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.5 V

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