FDU6696

FDU6696中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 52.0 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDU6696
型号: FDU6696
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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