FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2670 场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
额定电压DC 200 V
额定电流 3.60 A
通道数 1
针脚数 2
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.23 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1228pF @100VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD2670 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD12N20LTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD2670和FQD12N20LTM的区别 |
FQD18N20V2TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD2670和FQD18N20V2TM的区别 |
FQD12N20TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD2670和FQD12N20TM的区别 |