FDB16AN08A0

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FDB16AN08A0概述

N沟道PowerTrench MOSFET的75V , 58A , 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз

N-Channel 75 V 9A Ta, 58A Tc 135W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK


贸泽:
MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 75 V 58 A 16 mOhm Flange Mount PowerTrench® Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB


FDB16AN08A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 58.0 A

漏源极电阻 16.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

输入电容 1.86 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 58.0 A

上升时间 82 ns

输入电容Ciss 1857pF @25VVds

额定功率Max 135 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 135W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB16AN08A0
型号: FDB16AN08A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道PowerTrench MOSFET的75V , 58A , 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз

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