FDMS86103L概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86103L 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 1.9 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
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- Shielded gate MOSFET technology
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- Advanced package and silicon combination for low RDS ON and high efficiency
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- MSL1 Robust package design
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- 100% UIL tested
FDMS86103L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0064 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 12A
输入电容Ciss 3710pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6.15 mm
高度 1.05 mm
封装 PowerTDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMS86103L
型号： FDMS86103L
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86103L 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.0064 ohm, 10 V, 1.9 V