PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
得捷:
35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
立创商城:
N沟道 25V 70A 30A
欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 8-Pin Power 56 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 8-Pin Power 56 T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 65W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 35A
输入电容Ciss 4350pF @13VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 65W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5.1 mm
宽度 5.85 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDMS8560S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16415Q5 德州仪器 | 功能相似 | FDMS8560S和CSD16415Q5的区别 |