FQP3P50

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FQP3P50概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3P50  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V

P-Channel 500V 2.7A Tc 85W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


欧时:
### QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3P50  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


富昌:
500 V/2.7 A/P沟道/TO-220 PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -2.7A; 85W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220


FQP3P50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -500 V

额定电流 -2.70 A

额定功率 85 W

针脚数 3

漏源极电阻 4.9 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 85 W

漏源极电压Vds 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 660pF @25VVds

额定功率Max 85 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP3P50
型号: FQP3P50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3P50  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V
替代型号FQP3P50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP3P50

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

FDMS8570SDC

飞兆/仙童

功能相似

FQP3P50和FDMS8570SDC的区别

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