FQPF27N25

FQPF27N25图片1
FQPF27N25图片2
FQPF27N25图片3
FQPF27N25图片4
FQPF27N25图片5
FQPF27N25图片6
FQPF27N25图片7
FQPF27N25图片8
FQPF27N25图片9
FQPF27N25图片10
FQPF27N25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 14.0 A

通道数 1

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 55 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 270 ns

输入电容Ciss 2450pF @25VVds

额定功率Max 55 W

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 55W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF27N25
型号: FQPF27N25
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
替代型号FQPF27N25
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF27N25

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STF17NF25

意法半导体

功能相似

FQPF27N25和STF17NF25的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台