FDMC86340ET80

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FDMC86340ET80中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 54 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 7.9 ns

输入电容Ciss 2775pF @40VVds

下降时间 5.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.8 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMC86340ET80
型号: FDMC86340ET80
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8Pin Power QFN EP T/R

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