FDMC012N03

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FDMC012N03中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.3W Ta, 64W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

输入电容Ciss 8183pF @15VVds

耗散功率Max 2.3W Ta, 64W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-33-8

外形尺寸

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: FDMC012N03
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

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