FDMS86104概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86104 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.9 V
The is a N-channel MOSFET is produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
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- Shielded gate MOSFET technology
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- Advanced package and silicon combination for low RDS ON and high efficiency
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- MSL1 Robust package design
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- 100% UIL tested
FDMS86104中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 73 W
阈值电压 2.9 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 923pF @50VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 73W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMS86104
型号： FDMS86104
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86104 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.9 V