FQAF44N08参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQAF44N08概述

80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

N-Channel 80 V 35.6A Tc 83W Tc Through Hole TO-3PF

立创商城:
N沟道 80V 35.6A

得捷:
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 35.6A 3-Pin3+Tab TO-3PF

Win Source:
80V N-Channel MOSFET

FQAF44N08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 35.6 A

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 35.6 A

输入电容Ciss 1430pF @25VVds

额定功率Max 83 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQAF44N08

型号： FQAF44N08

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET