FDB3672_F085

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FDB3672_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 28 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 7.2A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 1710pF @25VVds

下降时间 44 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB3672_F085
型号: FDB3672_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

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