FQA13N50C_F109

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FQA13N50C_F109中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 480 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 218 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 13.5A

输入电容Ciss 2055pF @25VVds

耗散功率Max 218W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FQA13N50C_F109
型号: FQA13N50C_F109
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3Pin3+Tab TO-3PN

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