FDI150N10

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FDI150N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 57A

输入电容Ciss 4760pF @25VVds

额定功率Max 110 W

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDI150N10
型号: FDI150N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3Pin3+Tab TO-262 Tube

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