FQB7N60TM_WS参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQB7N60TM_WS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.4A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 1430pF @25VVds

下降时间 60 ns

耗散功率Max 3.13W Ta, 142W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB7N60TM_WS

型号： FQB7N60TM_WS

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号FQB7N60TM_WS

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飞兆/仙童

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