FDB8870_F085参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FDB8870_F085中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 5200pF @15VVds

下降时间 47 ns

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB8870_F085

型号： FDB8870_F085

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

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