FDMS86263P

FDMS86263P图片1
FDMS86263P图片2
FDMS86263P图片3
FDMS86263P图片4
FDMS86263P图片5
FDMS86263P图片6
FDMS86263P图片7
FDMS86263P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 4.4A

输入电容Ciss 3905pF @75VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5.85 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDMS86263P
型号: FDMS86263P
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台