FDMS86300中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3.4 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 7082pF @40VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 PowerTDFN-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMS86300
型号： FDMS86300
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMS86300
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS86300 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC042NE7NS3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS86300和BSC042NE7NS3GATMA1的区别 |