FDP023N08B_F102中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.96 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 245 W
阈值电压 3.8 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 242A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 13765pF @37.5VVds
额定功率Max 245 W
下降时间 56 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 245W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDP023N08B_F102
型号： FDP023N08B_F102
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。