FQA55N10

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FQA55N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 61.0 A

漏源极电阻 26.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 61.0 A

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 2730pF @25VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 140 ns

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQA55N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

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