漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 190 ns
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
FQA19N20
Fairchild 飞兆/仙童
当前型号
STP55NF06
意法半导体
功能相似
STP60NF06
STP80NF10