FQA27N25

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FQA27N25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 27.0 A

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 27.0 A

上升时间 270 ns

输入电容Ciss 2450pF @25VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA27N25
型号: FQA27N25
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
替代型号FQA27N25
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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