FDU8870概述
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30 V 21A Ta, 160A Tc 160W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK
立创商城:
N沟道 30V 160A 21A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
FDU8870中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 160 A
漏源极电阻 3.90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160W Tc
输入电容 5.16 nF
栅电荷 91.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 160 A
上升时间 83.0 ns
输入电容Ciss 5160pF @15VVds
额定功率Max 160 W
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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