FDB8441参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB8441中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 80.0 A

针脚数 2

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.8 V

输入电容 15.0 nF

栅电荷 280 nC

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 15000pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 17.9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB8441

型号： FDB8441

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FDB8441

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDB8441 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDB9406_F085 飞兆/仙童	类似代替	FDB8441和FDB9406_F085的区别
FDB8441_F085 飞兆/仙童	功能相似	FDB8441和FDB8441_F085的区别
SPB80N04S2-04 英飞凌	功能相似	FDB8441和SPB80N04S2-04的区别