FDMD8900概述
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/17A 12Pin PQFN EP T/R
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
贸泽:
MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET
艾睿:
MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET Learn More
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/17A 12-Pin PQFN EP T/R
FDMD8900中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 3.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 19A/17A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 2605pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerWDFN-12
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.8 mm
封装 PowerWDFN-12
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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