FQPF10N60C

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FQPF10N60C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.50 A

漏源极电阻 730 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

额定功率Max 50 W

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF10N60C
型号: FQPF10N60C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FQPF10N60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQPF10N60C

Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

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