QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 800V 3.3A Tc 51W Tc Through Hole TO-220F
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
贸泽:
MOSFET N-CH/800V/6A/QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
额定电压DC 800 V
额定电流 3.30 A
通道数 1
漏源极电阻 1.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 51 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 51 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 51W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99