FDS86140概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS86140 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for DC-to-DC converters, off-line UPS and high voltage synchronous rectifier applications.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
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- 100% UIL tested
FDS86140中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 11.2A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 2580pF @50VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDS86140
型号： FDS86140
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS86140 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V