双N沟道MOSFET PowerTrench® Q1 ： 30 V ， 12 A， 11.4 MI © Q2 ： 30 V ， 22 A， 11.6 MI © Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, 12 A, 11.4 mΩ Q2: 30 V, 22 A, 11.6 mΩ
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 11.5A, 12A 1W Surface Mount Power56
得捷:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
立创商城:
2个N沟道 30V 11.5A 12A
贸泽:
MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A/12A 8-Pin Power 56 T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
阈值电压 2.1 V, 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 11.5A/12A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1400pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 3 ns
安装方式 Surface Mount
封装 Power-56-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free