FDB5800参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB5800中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 242 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 6625pF @15VVds

额定功率Max 242 W

下降时间 12.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 242 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB5800

型号： FDB5800

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V

替代型号FDB5800