FQPF47P06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -30.0 A
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 62 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 62 W
下降时间 195 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQPF47P06
型号： FQPF47P06
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F
替代型号FQPF47P06
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF47P06 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF47P06YDTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQPF47P06和FQPF47P06YDTU的区别 |