FCU850N80Z

FCU850N80Z图片1
FCU850N80Z图片2
FCU850N80Z图片3
FCU850N80Z图片4
FCU850N80Z图片5
FCU850N80Z中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 75000 mW

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1315pF @100VVds

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

高度 6.3 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCU850N80Z
型号: FCU850N80Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3Pin IPAK Tube

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台