PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 2880pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDB3652_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB3652 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB3652_F085和FDB3652的区别 |