FDB088N08中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0073 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 85A
上升时间 158 ns
输入电容Ciss 6595pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 102 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDB088N08
型号： FDB088N08
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDB088N08
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB088N08 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF2807ZSPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDB088N08和IRF2807ZSPBF的区别 |
PSMN8R7-80BS 恩智浦 | 功能相似 | FDB088N08和PSMN8R7-80BS的区别 |