FDB8444中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 5.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 8035pF @25VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDB8444
型号： FDB8444
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道的PowerTrench ？ MOSFET 40V ， 70A ， 5.5mOhm N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhm
替代型号FDB8444
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8444 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8444_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8444和FDB8444_F085的区别 |
SUM70N04-07L-E3 威世 | 功能相似 | FDB8444和SUM70N04-07L-E3的区别 |