FDB42AN15A0_F085

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FDB42AN15A0_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 3 ns

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB42AN15A0_F085
型号: FDB42AN15A0_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3Pin TO-263 T/R

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