PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
针脚数 3
漏源极电阻 0.0085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 12.5A
输入电容Ciss 2265pF @50VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 127W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDD86110 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD110N12N3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDD86110和IPD110N12N3GATMA1的区别 |