FDD86110

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FDD86110概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDD86110中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 127 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 12.5A

输入电容Ciss 2265pF @50VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 127W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDD86110
型号: FDD86110
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD86110
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD86110

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IPD110N12N3GATMA1

英飞凌

功能相似

FDD86110和IPD110N12N3GATMA1的区别

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