FQP4P40中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -400 V
额定电流 -3.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.44 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 85 W
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 680pF @25VVds
额定功率Max 85 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 85 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQP4P40
型号： FQP4P40
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP4P40 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -400 V, 2.44 ohm, -10 V, -5 V 新