FQAF65N06

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FQAF65N06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 49.0 A

漏源极电阻 16.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 86W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 49.0 A

输入电容Ciss 2410pF @25VVds

耗散功率Max 86W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQAF65N06
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

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