FJA4210RTU

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FJA4210RTU中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 50 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: FJA4210RTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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