FDP8870_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 160 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 5200pF @15VVds
下降时间 46 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDP8870_F085
型号： FDP8870_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDP8870_F085
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP8870_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP8870 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDP8870_F085和FDP8870的区别 |