FDPF12N60NZ

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FDPF12N60NZ概述

N沟道UniFETTM II MOSFET的600 V , 12 A, 650英里???? N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650 m

N-Channel 600 V 12A Tc 39W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


富昌:
FDPF12N60NZ 系列 600 V 12 A 650 mOhm N-沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-220F


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF12N60NZ  Power MOSFET, N Channel, 12 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3


FDPF12N60NZ中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 39 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1676pF @25VVds

额定功率Max 39 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDPF12N60NZ
型号: FDPF12N60NZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道UniFETTM II MOSFET的600 V , 12 A, 650英里???? N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650 m

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