FDB024N08BL7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 246 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 229A
输入电容Ciss 13530pF @40VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 246W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDB024N08BL7
型号： FDB024N08BL7
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。