Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3Pin3+Tab I2PAK T/R
N-Channel 800 V 6.6A Tc 3.13W Ta, 167W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin3+Tab I2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 800 V
额定电流 6.60 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 167W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI7N80TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQI7N80 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQI7N80TU和FQI7N80的区别 |