UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
UniFET™ MOSFET is Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
• RDSon = 265 mΩ Max. @ VGS = 10 V, ID = 9A
• Low Gate Charge Typ. 45 nC
• Low Crss Typ. 25 pF
• 100% Avalanche Tested
Applications
• LCD/LED/PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supply
额定电压DC 500 V
额定电流 18.0 A
通道数 1
漏源极电阻 265 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 38.5 W
输入电容 2.86 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 72.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 2860pF @25VVds
额定功率Max 38.5 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDPF18N50T Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF18N50V2 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDPF18N50T和FQPF18N50V2的区别 |
FQPF18N50V2SDTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDPF18N50T和FQPF18N50V2SDTU的区别 |
STP15NK50ZFP 意法半导体 | 功能相似 | FDPF18N50T和STP15NK50ZFP的区别 |