PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 3.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 167 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 8035pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8444_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8444 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8444_F085和FDB8444的区别 |