FQPF22N30

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FQPF22N30概述

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

N-Channel 300 V 12A Tc 56W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F


FQPF22N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 12.0 A

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 56 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 230 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 56 W

下降时间 100 ns

耗散功率Max 56W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF22N30
型号: FQPF22N30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

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